重要的三元固溶体材料，为HgTe与CdTe的连续同溶体，变换x值可使其带隙从0变到1.6eV,属闪锌矿结构。
信息材料 -> 半导体材料 -> 半导体材料
布里奇曼法（Bridgman method）
材料（materials）
单晶（single crystal）
分子束外延（molecular beam epitaxy）
固溶体（solid solution）
化学气相沉积（chemical vapor deposition）
晶体（crystal）
晶体生长（crystal growth）
金属有机化学气相沉积（metal organic chemical vapor deposition method）
区熔法（zone-melting method）
闪锌矿（sphalerite）
相（phase）
液相外延（liquid phase epitaxy）
再结晶（recrystallization）
