重要的II-XI族化合物半导体材料，为闪锌矿结构。晶格常数6.48埃(300K)。密度5.86g/cm^3。禁带宽度1.5eV,与太阳光谱带匹配较好。具有直接跃迁型能带结构，光电转换效率高。
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半导体材料（semiconductor materials）
材料（materials）
单晶（single crystal）
碲镉汞（mercury cadmium telluride）
电阻率（resistivity）
多晶（polycrystal）
腐蚀（corrosion）
固溶体（solid solution）
光电转换效率（photo-electric conversion efficiency）
密度（density）
迁移率（mobility）
区熔法（zone-melting method）
闪锌矿（sphalerite）
脱氧（deoxidation）
相（phase）
