以桂片为阳极在含氢氟酸的电解液中以合适的电流密度阳极氧化，或者硅片在含氢氟酸和强氧化剂的溶液中择优腐蚀，即可形成多孔硅，1956年被首次制备出来。多孔硅的孔隙度一般在60%-90%,表面积很大，可达100-1000m2，利用其表面积大且易于氧化的特点，曾用于制备集成电路的隔离层和硅片。
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发光（luminescence）
腐蚀（corrosion）
硅片（silicon wafer）
孔隙度（porosity）
密度（density）
氧化剂（oxidizer）
择优腐蚀（preferential etching）
