外延片是在一单晶衬底上生长一层薄膜.其原子排列方式与衬底的相同或者相近。采用化学气相沉积法生产硅外延片,硅源中H的原子数目越多,可以在更低的反应温度下生成硅。
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单晶(single crystal)
电阻率(resistivity)
化学气相沉积(chemical vapor deposition)
相(phase)