Explanation
在离子束辅助沉积薄膜的同时，用低能离子束进行轰击,以在衬底上形成具有特定性能表面覆盖层的技术。其突出优点为:①原子沉积和离子注入各参数可以精确地独立调节；②可在较低的轰击能量下，连续生长几微米厚的、组分一致的薄膜；③可在室温下生长各种薄膜，避免高温处理对材料及精密零、部件尺寸的影响；④在膜和衬底界面形成连续的混合层，提高黏着力。用于离子束增强沉积的设备有多种形式。其薄膜沉积方式有电子束蒸发，离子束溅射沉积，分子束外延，原子簇系统。单一离子束派射沉积，同时也可作为轰击手段，离子束增强沉积合成薄膜中所用的离子束能量一般在30eV-lOOkeV之间。较高能量的离子束通常用于硬质薄膜合成。而对于光学薄膜，单晶薄膜生长则以较低能量离子束为宜。从薄膜合成过程来分，离子束增强沉积有以物理效应为主的薄膜合成，如Si3N4、BN、SiC等；有些薄膜合成过程以化学效应为主的薄膜合成，如TiN等。还可用来合成梯度功能薄膜、智能材料薄膜等表面层材料。
Classification
No classification at present.