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Explanation

一种半导体掺杂工艺。由离子源将掺杂剂原子电离成正离子，随后从离子源引出并加速到所需能量(典型的能量范围是5-200keV),经过质量分析器、聚焦和相互垂直的扫描系统，杂质离子注入到半导体中。离子注入后，需经过合适的退火工艺激活注入的杂质和消除注入损伤。离子注入掺杂的主要优点是:①能在很大范围精确控制注人杂质的浓度，且具有很好的掺杂均匀性；②掺杂深度可精确控制，增大了器件设计的灵活性；③是低温工艺，允许使用不同的光刻掩模包括光刻胶；④杂质可以通过薄膜(如氧化物和氮化物薄膜)注入，这可使MOS晶体管阈值电压的调整在生长栅极介质层后进行；⑤是非平衡掺杂过程，在平衡条件下不能掺入的杂质可用离子注入实现掺杂，且无固溶度的限制。离子注入几乎是集成电路制造中掺杂的唯一手段。除了半导体制造领域以外。离子注入还可应用于其他领域，比如金属材料的表面改性等。