Explanation
是指具有离散能量值的势阱。一般由两种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限域效应的电子或空穴的势阱。由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够时能形成量子阱)的限制，导致载流子波函数在一维方向上的局域化，量子阱中因为有源层的厚度仅在电子平均自由程内，阱壁具有很强的限制作用，使得载流子只在与阱壁平行的平面内具有二维自由度。在垂直方向，使得导带和价带分裂成子带。为了形成量子化，可以把能够在三维空间A由运动的粒子束缚在一个平面区域。在具有二维自由度的量子阱中，电子和空穴的态密度与能量的关系为台阶形状，而不像三维体材料那样的拋物线形状。多量子阱是由两种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小.则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱(MQW)。量子阱的制备通常是通过将一种材料夹在两种材料(通常是宽禁带材料)之间而形成的，比如两层砷化铝之间夹着砷化镓。一般这种材料吋以通过MBE(分子束外延)或者MOCVD(化学气相沉积)方法来制备。
Classification
纳米材料 -> 纳米功能材料