在相同的两层厚度较大的半导体之间若生长一薄层不同的半导体夹层，只要夹层材料的导带边比两个边层的导带边低，或夹层的价带边比两个边层的价带边高，则一个以两个边层为势垒而夹层为势阱称为量子阱的三层结构。如果势阱层的厚度小到与电子德布罗意波长可比拟，则阱中的电子或者空穴在垂直于结面方向运动的能量被量子化为一系列决定于阱宽、阱深和粒子有效质量的分立值，这种材料称为单量子阱材料。用周期性重复单量子阱结构的方法得到的材料，若势垒层的厚度大到使两个相邻势阱中电子波函数不能相互耦合，称为多量子阱材料。
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材料（materials）
导带（conduction band）
价带（valence band）
量子阱（quantum well）
相（phase）
