层错常常发生在外延生长的硅单晶体上，当硅单晶片经过900~1200℃热氧化过程后，经常可发现表面出现层错。这些由氧化过程引起的层错，称之为OISF。因为每个层错都结合着部分位错，所以层错对硅单晶片的电性质影响与位错相似。
材料科学基础 -> 材料的组织结构基础
层错能（stacking fault energy）
晶体（crystal）
晶面（crystal plane）
石墨（graphite）
碳化（carbonization）
相（phase）
