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Explanation

被沉淀物质的原子和分子从气相状态碰撞到晶体表面被晶体吸附而生长晶体。在气相生长过程中存在着大量变量，使得生长过程较难控制，因此气相生长往往局限于那难以从液相生长的材料。气相生长的特点之一是经常可以预先确定所提出的反应的平衡常数及其温度的依赖关系。其最重要的用途是在同质和异质材料衬底上的外延生长。此方法已成为制造很多半导体、光电器件和声光器件的基本方法。在工业上有重大的意义，气相生长必须具备几个必要条件：①晶体上的蒸气压比平衡蒸气压高；②晶体周围的环境要有利于表面扩散；③衬底周围环境要有利于晶体的发育。气相生长中物质输运方式可以是物理的（高温部分通过气流传送到低温区并沉淀）和化学的（靠化学反应提供蒸气沉淀在晶体上)"气相生长从组分方面可分为单组分体系和多组分体系生长。单组分气相生长包括升华法、溅射法、离子注入法。。利用单组分体系生长的晶体有SiC、CdS、ZnS等，且晶体形状多为针状或片状。多组分体系常用外延生长，可分为可逆反应生长和不可逆反应生长两种。GaAs、GaAs。rP^、GaP等外延膜常用此方法生长。