在足够高温度的半导体衬底表面通过含有所需外延层的气体反应物和掺杂物，沿着衬底晶向生长出外延层。它属于化学气：相沉积范畴，包括：①生长组分物输运至衬底表面。②组分物在衬底表面分解，③沉积物原子或者闭簇在衬底表面迁移-④进入结晶（生长）前沿，最终形成外延层。应用最为广泛的硅外延片都是采用气相外延法制备的。
No classification at present.
硅外延片（epitaxial silicon wafer）
气相外延法（vapour phase epitaxial growth method）
相（phase）
