Explanation
是借助温度禅度而使狭窄的熔区移过材料而生长出单晶的方法。籽晶放在料舟的左端，开始时使籽晶微熔，同时保持表面清洁，随着加热器向右移动，熔区也向右移动。在熔区的左端由于温度的降低而析出晶体。有水平熔融法和悬浮区熔法。区熔法的优点是可以控制杂质的生长，特别是悬浮区熔法由于不使用坩埚，其加热温度不受坩埚的熔点的限制，可用来生长高熔点晶体，如钨单晶（340CTC)，而且可避免坩埚的污染。由于此方法只能在真空中使用，所以有高蒸气压的材料或会分解的材料不能使用此方法。采用区域熔化方法和杂质移除技术相结合，可以得到高纯金属，随着生产的发展和技术的进步，还出现了液封区域熔化技术和微量区熔技术，使区熔法的应用更为广泛。
Classification
无机非金属材料 -> 晶体生长与晶体材料