又称高温分解法。就是利用某种化合物在高温条件下分解，提供所需要的沉淀物蒸气进行晶体生氏的方法。它属于气相生长中的化学蒸气沉淀方法。常用于生长硅、锗的单质晶体。很少用于化合物晶体的生长-因为今反应包含单质输入物质时（除运输气体外）-要按理想配比来控1制所获得的产品就受到了很大的限制。利用热解法生长晶体先应选择适当的热解化合物。这种化合物不能过于稳定，并易于挥发，在生长区附近的条件下能够发生分解反应并生成该沉淀物，一般情况下，反应温度应低于沉积物晶体的熔点。
无机非金属材料 -> 晶体生长与晶体材料
沉淀（precipitation）
单晶（single crystal）
高温分解法（high-temperature decomposition method）
硅单晶（silicon single crystal）
晶体（crystal）
气相生长（growth from vapour phase）
熔点（melting point）
相（phase）
