Explanation
水平布里渣曼法（Horizontal Bridgman）生长GaAs单晶的简称。它是GaAs单晶的主要品种，占据了GaAs单晶总量的60%到70%。其生长设备相对简单，包括一个带有三个或多个温区的水平炉、机械传动装置以及温度控制系统。在水平布里渣曼法中，高纯度As和盛有Ga的舟密封在石英反应管的两端。通过控制As端的温度（约610°C，此时As的蒸气压为0.1MPa），确保反应管内维持一定的As压力，而在高温区（1245°C至1260°C）中生长GaAs单晶，利用一定的温度梯度。在高温区与低温区之间通常还有一个或多个中间温区，有助于减小系统内的温度梯度并抑制硅（Si）的污染。相对于其他生长方法，水平布里渣曼法的单晶通常具有较低的位错密度，降低了0.5到1个数量级。通过这种方法生长的掺杂Si的水平GaAs的位错密度可以低于10^2 cm?2。在生长过程中，As压易于控制，单晶的化学成分控制性较好。此外，此法容易掺杂Fe、Si、Zn等杂质，适用于生长各种掺杂的GaAs和半绝缘单晶。
Classification
能源材料 -> 电池材料 -> 燃料电池
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