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Explanation

在单晶衬底上沿其晶向连续生长具有特定参数的单晶薄层的方法。根据衬底材料与外延材料的化学组成可分为：真同质外延、赝同质外延、真异质外延与赝异质外延。真同质外延是指衬底与外延层的化学组成，包括掺杂剂与浓度都完全相同的，所得材料几乎没有应用价值。赝同质外延是指衬底与外延层的主化学成分相同，但其掺杂剂或掺杂浓度不同，它简称为同质外延。真异质外延是指衬底与外延层的化学组成完全不同，而赝异质外延是指衬底与外延层的化学组成中有一个或部分组元相同，这两种都称异质外延。的方法有：化学气相外延、液相外延、固相外延、分子束外延、离子束（团）外延、化学分子束外延等。工业生产中主要使用化学气相外延、液相外延;在高精密超薄外延方面则使用分子束外延或金属有机物化学气相外延。可改善单晶的质量，形成各种化合物，制备难以用体单晶生长法制备的单晶和固溶体、多层、超薄层材料等。