由平均尺度在数纳米至数十纳米的晶粒分布在晶态基体中的半导体硅薄膜。它的带隙可达2.4cV，电子与空穴迁移率都分别高于非晶硅两个数量级以上。
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非晶硅（amorphous silicon）
基体（matrix）
迁移率（mobility）
