半导体中由杂质或点缺陷聚集形成的缺陷以及位错和层错等的总称，尺寸最大约几十微米，一般为微米级和亚微米量级，故名微缺陷。由杂质聚集形成的沉淀物本身就属于，当沉淀物足够大时还会诱生出层错和位错等二次微缺陷。点缺陷聚集形成的有自间隙性缺陷（如位错环）和空位型缺陷（如空洞）。对半导体器件的影响是利害并存的。以最重要的半导体单晶硅为例，若微缺陷存在于硅单晶片表面，则降低器件的成品率;而当微缺陷存在于硅单晶片的体内，则它们可以吸除表面的有害沾污，从而有利于提高器件成
信息材料 -> 感光与显示材料 -> 物理基础
层错（stacking fault）
沉淀（precipitation）
单晶（single crystal）
硅单晶（silicon single crystal）
空位（vacancy）
位错（dislocation）
位错环（dislocation loop）
