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Explanation

在一定取向单晶讨底上从过饱和溶液中生长薄层单晶材料的技术。例如，以As为溶质的Ga的过饱和溶液在GaAs单晶衬底上生长GaAs薄层。其生长驱动力是溶液中溶质的过饱和度，其动力学过程为溶质扩散、对流输运到生长界面.并在衬底表面上吸附、反应、迁移、成核。其主要优点是生长设备简单、生长速率较高，与VPE相比，操作较安全、可广泛选择掺杂剂、易于控制外延层的组分和厚度。主要缺点是外延层表面形貌较差、对外延层与衬底晶格匹配的要求较高等。生长工艺按衬底与舟接触的方式来划分有：舟倾斜法、坩埚浸渍法、反应管旋转法和滑动舟法，后一方法的应用最广。控制溶液过饱和度有降温法和温差法;前者又分平衡冷却法、过冷法、步冷法和两相溶液冷却法等。液相外延是工业上生产多种化合物半导体外延材料主要工艺之一。