Explanation

金属中的载流子为电子，半导体中为电子和空穴。迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时.导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，带正电载流子漂移速度方向即电流方向，带负电载流子则相反。定向运动的速度为漂移速度，方向由载流子类型决定在电场下，载流子的平均漂移速度p与电场强度E成正比，系数为载流子的漂移迁移率。载流子迁移率是反映半导体中导电能力的重要参数，迁移率的大小不仅关系着导电能力的强弱。而且还直接决定着载流子运动的快慢。载流子在其热运动的过程中，不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞，无规则的改变其运动方向。即发生了散射。漂移速度实际上是一个由散射事件控制的统计平均量。

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