指对半导体中的缺陷优先进行的化学腐蚀。是显现半导体中缺陷的重要方法，结合光学显微镜观察.可快速检测缺陷。液通常由强氧化剂（如浓硝酸和双氧水等）、腐浊剂（一般为氢氟酸）和水组成，有时会添加缓冲剂（如氟化铵和醋酸等）。由于半导体晶体中的缺陷附近原子排列无序、晶格畸变和应变较大，在化学腐浊时，缺陷处将优先受到腐蚀，形成具有特定形貌的腐蚀坑。腐蚀坑的形貌与缺陷类型、半导体晶片的晶向和掺杂浓度等因素有关。缺陷的腐蚀坑通常可以用光学显微镜观察到。
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腐蚀（corrosion）
晶体（crystal）
氧化剂（oxidizer）
